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　　西电广研院与ICCT将配合打造国际一流第三代半导体先辈封装手艺研发平台、中试平台、财产交融平台和高条理人材培育基地

　　西电广研院与ICCT将配合打造国际一流第三代半导体先辈封装手艺研发平台、中试平台、财产交融平台和高条理人材培育基地。

　　“里手说三代半”发明，本年5月，方源公司还对外新增投资滨州镓元新质料有限公司（持股比例 20%）。镓元新质料旗下有一个金属镓项目——

　　别的，合肥光电半导体财产手艺研讨院宽禁带半导体手艺尝试室、特种封测手艺尝试室、光电制备与检测手艺尝试室、智能光电机手艺尝试室、微波与红外手艺尝试室等五个尝试室也正式建立。

　　德州人材开展团体公布动静称，7月17日下战书，第三代半导体氮化镓及碳化硅芯片设想与制作项目落地座谈会在德州（北京）协同立异中间胜利举行修建外墙粉饰线条。

　　6月26日上午，由西安电子科技大学广州研讨院与新加坡IC Carrier Technologies Pte Ltd（简称ICCT）协作共建的“氮化镓器件和集成电路先辈封装手艺研讨中间”，在广东-新加坡协作理事会第十三次集会上胜利签约。

　　按照环评陈述，该项目（一期）位于江西吉安井冈山经开区，项目投资金额为 2 亿元，占空中积约50亩，将新建厂房及从属配套设备约3万平方米，建成后构成年产 1.5 万片硅衬底氮化镓内涵片质料。

　　此次落户的博康半导体产物将笼盖电信根底设备、射频能源及各种通用市场的使用，为5G挪动通信****修建工程根底类常识、宽频带通讯等射频范畴供给半导体产物及处理计划。

　　3月2日，SweGaN官网颁布发表，他们正在瑞典林雪平的立异质料集群建立一个新总部，包罗一个大范围的半导体消费设备。据悉，SweGaN是一家为电信、卫星、国防和电力电子使用制作定制的碳化硅基氮化镓 (GaN-on-SiC) 内涵晶圆（基于共同的发展手艺）的公司。

　　报导称，该项目方案于本年第二季度末完成，将布置立异制作工艺，以多量量消费下一代 GaN-on-SiC 工程内涵晶圆，估计年产能将高达4万片4/6英寸内涵片。

　　并且，3月3日，嘉兴市大众资本买卖中间公布招标通告称，博康（嘉兴）半导体年产3000片氮化镓射频功率芯片先导线项目设想对外采购施工总承包，招标预算价约为1.9亿元。

　　据悉，ICCT由Yew Chee Kiang（杨志强）博士于2013年景立于新加坡，是一家努力于供给半导体封装质料和封装手艺效劳的中小型企业。手艺团队次要由来自天下出名半导体企业如德州仪器、宇芯半导体、英飞凌、住矿等的行业资深专业工程师构成，手艺团队丰硕的行业经历使本公司更理解客户需求，可觉得客户供给更多条理、更高效、更低本钱的处理计划。公司客户普遍散布于天下各地，包罗美国德州仪器（Texas Instruments），欧洲恩智浦（NXP）、意法半导体，日本Rohm（罗姆）、爱普生（Epson）修建外墙粉饰线条、住友（Sumitomo）、精工（Seiko），马来西亚宇芯、密特（Metek），中国大陆洛科质料，台湾Cirtek等出名半导体公司。

　　据悉，这套氮化镓等离子体加工处理计划将用于开辟下一代GaN-on-Si 和 GaN-on-SiC 高功率和高频功率电子器件和射频器件，以供给更好的服从和机能。

　　镓元新质料已租用汇宏新质料的40亩地盘，投资1.5亿元建立氧化铝原矿提取镓元素项目。今朝该项目已落户，达产后将年产120吨金属镓。

　　东科半导体项目：总投资12.25亿，年产1亿只超高频AC/DC电源办理芯片，5000万只GaN电源模组

　　企查查显现，方唯成半导体建立于2022年4月，为珠海经济特区方源有限公司的控股子公司（持股比例85%）。

　　北京博神微电子科技有限公司董事长兼总司理林福荣等4位公司卖力人和手艺专家，天衢新区投资增进部副部长党英鹏，天衢新区高端配备财产招商局副局长孙东江参与座谈，德州人材开展团体副总司理戴元滨伴随并掌管，中间卖力同道到场对接。

　　氮化镓 (GaN) 是一种宽带隙半导体，其在多种电力电子使用中的使用正在不竭增加。这是因为这类质料的特别机能，在功率密度、耐高平和在高开关频次下事情方面优于硅 (Si)。

　　持久以来，在电力电子范畴占主导职位的硅险些已到达其物理极限，从而将电子研讨转向可以供给更大功率密度和更好能源服从的质料。GaN 的带隙 (3.4 eV) 约莫是硅 (1.1 eV) 的 3 倍，供给更高的临界电场修建外墙粉饰线条，同时低落介电常数，从而低落 R DS( on)在给定的阻断电压下。与硅比拟（在更大水平上，与碳化硅 [SiC]）比拟，GaN 的热导率更低（约为 1.3 W/cmK，而在 300K 时为 1.5 W/cmK），需求认真设想规划和恰当的开辟出可以有用散热的封装手艺。经由过程用 GaN 晶体管替代硅基器件，工程师能够设想出更小、更轻、能量丧失更少且本钱更低的电子体系。

　　7月6日，据台媒动静，台湾省经济部克日颁布发表，将斥资28亿新台币（约6.48亿群众币）投资一家晶圆代工场，在新竹科学园区增设氮化镓器件及砷化镓器件主动化产线。

　　SweGaN于2022年暗示，估计几年后，公司年停业额将从2021年的1700万瑞典克朗增长到2亿瑞典克朗（约1.3亿元群众币），营收目的做到“数十亿”。

　　集会上，北京博神微电子董事长林福荣引见了企业概略，并重点引见了第三代半导体氮化镓及碳化硅芯片设想与制作项目标中心合作力、产物市场拓展状况，和将来在德州落地的方案和需求。

　　据悉，该晶圆代工场具有成熟的硅基半导体代工经历，并努力于开拓化合物半导体财产的新规划，但今朝未表露该代工场的更多信息修建外墙粉饰线条。

　　本次集会在新加坡乌节大旅店召开，广东省省长王伟中，驻新加坡大使孙海燕，广州市委常委、黄埔区委书记、广州开辟区管委会主任陈杰修建工程根底类常识，新加坡卫生部部长王乙康，新加坡商业及产业部，文明、社区及青年部部长陈圣辉等指导参与集会并致辞。研讨院党委书记刘丰雷、院长助理吕鹏和广州第三代半导体立异中间施行主任刘志宏参与集会。集会上，刘丰雷代表西电广研院与新加坡ICCT签订共建和谈。

　　并且，2022年9月，该扩产项目就曾经得到1200 万欧元（约8300万群众币） A 轮融资的撑持，以满意5G****、国防雷达、低轨道卫星通讯和电动汽车车载充电器次要供给商的市场需求。

　　上海格晶半导体有限公司的氮化镓第三代半导体财产化项目总投资达25亿元，产物次要客户有华为海思、小米、VIVO、OPPO等手机厂商，和复兴通信****、CETC军用雷达、吉祥汽车快充等。项目投产后可完成年产5万片8寸GaN功率器件，处理700人失业，成为江西省第一家，中国第二家量产氮化镓车载功率器件的晶圆厂。同时，该项目标落地，将助力万年县财产构造调解修建工程根底类常识，弥补万年县半导体范畴高端制作业空缺。

　　受汽车、电信、云体系、电压转换器、电动汽车等使用范畴对日趋高效的处理计划的需求的鞭策，基于 GaN 的功率器件的市场占据率正在急剧增加。在本文中，我们将引见 GaN 的一些使用，这些使用不只代表了手艺应战，并且最主要的是，代表了扩展市场的新兴机缘。

　　据悉，此次投入利用的新厂区占地52亩，新建厂房5.1万平方米，次要处置氮化镓超高频AC/DC电源办理芯片、氮化镓使用模组封装线的研发、消费和贩卖。局部达产后，估计可完成年贩卖支出10亿元。

　　氮化镓器件和集成电路先辈封装手艺研讨中间的建立，是西电广研院开展规划的主要计谋办法，是“产学研”协作国际化的初次打破，西电广研院在效劳湾区电子信息财产开展的门路上又迈出了坚固的一步，西电广研院将联袂ICCT配合为广东省及粤港澳大湾区社会经济高质量开展作奉献。

　　据“里手说三代半”此前报导，该项目于2020年10月集合完工，总投资为12.25亿元，次要建立尺度GMP干净厂房、办公楼、研发楼等，新增2条GaN超高频AC/DC电源办理芯片封装线条GaN使用模组封装线亿只超高频AC/DC电源办理芯片，5000万只GaN电源模组。

　　开创人Yew Chee Kiang（杨志强）博士结业于英国思克莱德（University of Strathclyde）大学，在半导体封装范畴耕作多年，经历丰硕。曾任AdvanPack Solutions Pte Ltd（新加坡）手艺总监兼欧洲地区市场总监修建外墙粉饰线条修建工程根底类常识，掌管研发半导体封装手艺与新客户开辟。

　　合肥光电半导体财产手艺研讨院（合肥复熵光电科技有限公司）注册建立于2022年12月，由沈学础院士、迟力峰院士领衔组建，依托复旦大学信息学院和中科院上海手艺物理研讨所的研发团队，打造“财产立异型”新型研发机构。在2023年2月举办的“科大硅谷”中心区二期开园三期完工暨项目集合签约典礼上，合肥光电半导体财产手艺研讨院等9家科创平台项目代表停止了集合签约。

　　别的，该GaN与GaAs的产线建立，还将在厂衡宇顶安装太阳能板，有用提拔绿电利用比例，逐渐落实减碳排。

　　此中，6英寸硅衬底氮化镓内涵片质料的计划年产能为 10000 片，8 英寸硅衬底氮化镓内涵片质料的计划年产能为 5000 片。

　　别的，2022年7月，SweGaN还得到了一次投资，获投金额与本次融资金额附近（约8216万元群众币），资金将用于扩展员工数目，并建立新的消费线。

　　按照通告，珠海方唯成半导体主导的“氮化镓自支持衬底项目”胜利入围复赛。今朝该项目还未表露更多信息，“里手说三代半”将连续跟进该项目停顿，敬请存眷。

　　按照通告，该项目一期将购买晶体发展炉、大型多线切割机、主动倒角机等先辈装备266台（套），构成长晶、切割、抛光、激光剥离等全链条消费线万片。

　　4月26日，江西中科半导体官网公布了他们建立的“第三代半导体氮化镓质料财产化项目（一期）环评第二次公示”。

　　典礼上，万年县当局副县长张东与格晶半导体董事长白俊春等列席，并就氮化镓第三代半导体财产化项目停止了签约。

　　该GaN项目于2019年3月完工建立，总投资15亿元，总修建面积10.1万平米，建立涵盖消费车间、研发中间、检测等全系列财产链的尺度化园区。

　　按照通告，博康的氮化镓项目位于浙江嘉兴经开区，总工期用时一年阁下，将新建产业厂房30543平米，并引进光刻机、磁控溅射机等装备约100台套用于消费海内手艺抢先的通讯誉氮化镓射频芯片先导线片。

　　7月3日，印度科学研讨所(IISc) 正在建立 GaN 中间项目，为此订购了牛津仪器的全套等离子体处了解决计划——包罗原子层蚀刻 (ALE)、电感耦合等离子体 (ICP) 蚀刻模块、等离子体加强化学气相堆积 (PECVD)。

　　3月13日，济宁国度高新手艺财产开辟区公示了山东加睿晶欣年产10万片2英寸氮化镓单晶衬底项目环评表。

　　启动典礼上，面向AR成像与显现一体单片集成器件设想、自立智能无人体系、超低介电常数与超低丧失B5G/6G毫米波质料、氮化镓HEMT功率器件的研发及财产化、面向储能和充电桩范畴的GaN高功率器件使用、微米光刻装备及其中心暴光器件的研发与财产化、有机微米LED工艺及装备研发与财产化、光伏发电真空玻璃等八个项目停止了集合签约。

　　公然材料显现，博康（嘉兴）半导体建立于2022年10月，公司主停业务包罗半导体分立器件制作、贩卖及效劳等。

　　6月29日，珠海市产业和信息化局宣布了2023年“创客广东”珠海市中小企业立异创业大赛预赛评审成果，此中入围的包罗一个GaN项目。

　　除该项目外，吉安中科还在江西赣州建立了氮化镓项目——2021年8月，吉安中科的全资子公司深圳中科建立的“氮化镓内涵片质料和氮化镓单晶衬底质料的研发消费项目”正式签约落户于赣州经开区，总投资金额为2亿元。

　　3月6日，“嘉兴城南”官微发文称，博康(嘉兴)半导体总投资约6亿元的氮化镓射频功率芯片先导线项目正式完工，该项目占空中积46667平方米，此中一期用地约33200平方米。此中一期用地约33200平方米。该项目对准第三代半导体新质料范畴，集产物研发、消费、贩卖等功用为一体。